概述：

       包括制备室（φ400mm）和load-lock室；2英寸溅射源7个，向心分布，每个有充氩气口，可射频或直流起辉；可安装靶材厚度为1-6 mm，极限真空≤1E-8 torr，衬底温度800 ℃，衬底转速0-20 RPM；独特的溅射源设计，Cu靶可以5瓦且气压≤3 mTorr时起辉，非常适合外延生长金属单晶膜和织构薄膜。